您的位置:维库电子商城 > 分立器件 > MOSFET - 单 > 3ln02c-tb-e
  • 3LN02C-TB-E

3LN02C-TB-E

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:?频道
  • 电流, Id 连续:300mA
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 在电阻RDS(上):1.2ohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
产品属性
阈值电压, Vgs th 典型值1.3V功耗, Pd250mW
封装类型SOT-89功耗250mW
封装类型CP漏极电流, Id 最大值300mA
电压 Vgs @ Rds on 测量4V电压, Vds 典型值30V
电压, Vgs 最高10V表面安装器件表面安装

3ln02c-tb-e的相关型号: