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3N164-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V

参考价格

  • 数量单价
  • 105¥152.70
  • 200¥146.97
  • 500¥141.24
产品属性
描述MOSFET 30V 3mA 375mW漏极连续电流0.05 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)300000 mOhms at 20 V配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TO-206AF-4封装Bulk
最小工作温度- 55 C功率耗散375 mW
上升时间13 ns典型关闭延迟时间25 ns

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