| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA SPA | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.8 欧姆 @ 50mA，4V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.57nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6.6pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 250mW | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 3-SIP | 供应商设备封装 | 3-SPA |
| 包装 | 带卷 (TR) |
