| 描述 | N/P30V,6.5A/-5A,RD(MAX)<20M/45M@ | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta），5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 5A，10V，60 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5.2nC @ 10V，9.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 255pF @ 15V，520pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
