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  • 6N136S_Q

6N136S_Q

描述高速光耦合器 SO-8 HS PHOTO TRAN最大正向二极管电压1.7 V
最大反向二极管电压5 V最大输入二极管电流25 mA
最大功率耗散100 mW最大工作温度+ 70 C
最小工作温度0 C封装 / 箱体SMD-8
封装Bulk输入类型DC
绝缘电压2500 Vrms最大下降时间0.8 us
最大上升时间0.8 us输出设备Phototransistor

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