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70T3339S200BCG

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产品状态：在售

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产品属性

描述	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA	存储器类型	易失
存储器格式	SRAM	技术	SRAM - 双端口，同步
存储容量	9Mb	存储器组织	512K x 18
存储器接口	并联	时钟频率	200 MHz
写周期时间 - 字，页	-	访问时间	3.4 ns
电压 - 供电	2.4V ~ 2.6V	工作温度	0°C ~ 70°C（TA）
安装类型	表面贴装型	封装/外壳	256-LBGA
供应商器件封装	256-CABGA（17x17）

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