| 描述 | IC GATE NAND 2CH 4IN DFN1210-8 | 逻辑类型 | 与非门 |
|---|---|---|---|
| 电路数 | 2 | 输入数 | 4 |
| 特性 | 开路漏极 | 电压 - 供电 | 1.65V ~ 5.5V |
| 电流 - 静态（最大值） | 10 μA | 电流 - 输出高、低 | -，32mA |
| 逻辑电平 - 低 | 0.1V ~ 0.8V | 逻辑电平 - 高 | - |
| 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟 | 3.3ns @ 3.3V，50pF | 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1210-8 |
| 封装/外壳 | 8-XFDFN |
