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AD1100-9-TO52-S1

参考价格

产品属性

描述	光电二极管 Si APD Enhanced for 905nm 1130um Area	峰值波长	905 nm
上升时间	1.3 ns	半强度角度	92 deg
封装 / 箱体	TO-52	暗电流	4 nA
最大工作温度	+ 100 C	最小工作温度	- 40 C
安装风格	Through Hole	噪声等效功率 - NEP	8E-14 W/sqrt Hz
封装	Bulk	光电流	1 uA
功率耗散	100 mW	响应率	60 A/W
工厂包装数量	20	零件号别名	501197