| 描述 | DISCRETE FILTERED PHOTODIODE | 波长 | 850nm |
|---|---|---|---|
| 颜色 - 增强 | 红外（NIR） | 频谱范围 | 800nm ~ 1080nm |
| 二极管类型 | - | 不同 nm 时响应度 | 0.4 A/W @ 880nm，0.025 A/W @ 660nm |
| 响应时间 | 258ns，260ns | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 8 V |
| 电流 - 暗（典型值） | 0.786pA | 有效面积 | 0.363mm2 |
| 视角 | - | 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘，CSP |
