| 描述 | DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC | 技术 | 磁耦合 |
|---|---|---|---|
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 3000Vrms |
| 共模瞬变抗扰度（最小值） | 50kV/μs | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 68ns，68ns |
| 脉宽失真（最大） | - | 上升/下降时间（典型值） | 12ns，12ns |
| 电流 - 输出高、低 | - | 电流 - 峰值输出 | 4A |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | - | 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | - |
| 电压 -?输出供电 | 4.5V ~ 18V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | 认证机构 | CSA，UR，VDE |
