| 描述 | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 13.2V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 欧姆 @ 5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 10?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 供应商设备封装 | 8-PDIP |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 1014-1002 |
