| 描述 | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 10V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 500 欧姆 @ 5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 600mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 |
