| 描述 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | 最大工作温度 | + 70 C |
|---|---|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 最小工作温度 | 0 C | 功率耗散 | 600 mW |
| 工厂包装数量 | 50 |
【Advanced Linear Devices】ALD1121ESAL,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123EPC,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123EPCL,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123ESC,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123ESCL,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
