| 描述 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 特点 | 耗尽模式 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 10.6V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 500 欧姆 @ 2.7V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.26V @ 1?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 500mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 1014-1066 |
