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  • ALD114913SAL

ALD114913SAL

  • 制造商:-
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:EPAD?
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$2.45
  • 25$1.9752
  • 100$1.7775
  • 250$1.58
  • 500$1.3825
产品属性
描述MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOICFET 特点耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)10.6V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 欧姆 @ 2.7VId 时的 Vgs(th)(最大)1.26V @ 1?A
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大500mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOIC
包装管件其它名称1014-1066

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