| 描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 N 沟道，配对 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 20mV @ 10μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商器件封装 | 16-PDIP |
