| 描述 | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）配对 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 20mV @ 20μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 500mW | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
