| 描述 | SOP-8 MOSFETS ROHS | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 520 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
ao4405试试ao4405 ...
v1内部的基极电阻不能忽略v1（型号应该是ao4405）内部的基极电阻不能忽略，r1两端的电压实际上是变化的，而且变化的范围不小，并不恒等于0.7v。增大r15的电阻，使第一级的放大倍数增大，可使温度更恒定 * - 本贴最后修改时间：2005-11-23 11:40:10 修改者：eastbest ...
