| 描述 | MOSFET P-CH -30V -11A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 11A, 20V | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V | 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 剪切带 (CT) | 其它名称 | 785-1029-1 |
