| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 34 毫欧 @ 7A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 910pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1199-6 |
参数如表2所示。输入电压为12 v，r2=100 kω，c2=1 μf，可以看到两者具有相同的2.7 a浪涌电流，ao4403的米勒平台时间约为124 ms，米勒平台电压为-1 v；ao4407a的米勒平台时间约为164 ms，米勒平台电压为-3.6 v。因此，同样的外部参数，由于ao4403具有低阈值电压，米勒平台时间短，使得开通过程中产生的损耗减小，从而减小了系统的热不平衡，提高了系统的可靠性。实验波形如图2（e）、（f）所示。 基于电路图1（b）进一步做实验，输入电压为12 v，使用ao4449参数，r1=47 kω，r2=15 kω，对应于不同的c1和co的实验结果如表3所示。输出的电容越大，浪涌电流也越大。为了达到同样限定的浪涌电流值，使用c1的电容值越大，浪涌电流越小，但消耗的功率增加，功率mos管的温升也增加，使mos管内部晶胞单元的热不平衡越大，也越容易损坏管子。 （1）功率mos管导通电阻的温度系数对应的vgs有一个转折电压，在转折电压以下，为负温度系数，无法自动平衡均流；在转折电压以上，为正温度系数，可以自动平衡均流。 （2）功率mos管在开关的过程中要跨越正温 ...
