| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14 毫欧 @ 11.6A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1038-6 |
电压和漏极电流保持比例的关系，漏极电流恒定，因此栅极电压也保持恒定，这样栅极电压不变，栅源极间的电容不再流过电流，驱动的电流全部流过米勒电容。过了米勒平台后，mosfet完全导通，栅极电压和漏极电流不再受转移特性的约束，就继续地增大，直到等于驱动电路的电源的电压。 mosfet开通损耗主要发生在t2和t3时间段。下面以一个具体的实例计算。输入电压12v，输出电压3.3v/6a，开关频率350khz，pwm栅极驱动器电压为5v，导通电阻1.5ω，关断的下拉电阻为0.5ω，所用的mosfet为ao4468，具体参数为ciss=955pf，coss=145pf，crss=112pf，rg=0.5ω；当vgs=4.5v，qg=9nc；当vgs=10v，qg=17nc，qgd=4.7nc，qgs=3.4nc；当vgs=5v且id=11.6a，跨导gfs=19s；当vds=vgs且id=250μa，vth=2v；当vgs=4.5v且id=10a，rds(on)=17.4mω。 开通时米勒平台电压vgp： 计算可以得到电感l=4.7μh.，满载时电感的峰峰电流为1.454a，电感的谷点电流 ...
液晶显示器，vga显卡，lcdmonitor,手携式产品，数字相框，卫星导航，遥控航模，电动车控制，电子书，数码相机,移动电源！等等！ aos美国万代: ao3400a ao3401a ao3402 ao3403 ao3407 a03409 ao3413 ao3414 ao3415 ao3416 ao3418 ao3422 ao4407a ao4403 ao4409 ao4411 ao4419 ao4435 ao4466 ao4468 ao4459 ao4606 ao4803a ao4828 ao4842 ao9926b aod452al aod480 aod484 aod403 aod464 aod409 aod407 aod4132 aoz1014ai aoz1016ai 日本松木: me2301 me2302 me2305 me2306 me2307 me2323d me2312 me2345a me3587 me4410a me441 ...
