| 描述 | MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.3A，4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 6.3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 58nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2300pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1203-6 |
