描述 | MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 27 毫欧 @ 6.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1053-6 |