描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6A | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 6A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 6.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 310pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
的电压越来越低而且电流越来越大,这样就可以使越来越多的直流开关电源能出现在系统板上的新型工装技术。 而要提供一系列价格低廉,线路简单,性能齐全直流开关电源,其关键在于是如何应用低廉、简单,性能齐全的电源控制芯片。semtech international公司的低价简易同步式降压控制芯片sc2618不失为一种好的选择,用sc2618只需较少外围元器件就能设计出低电压高效率降压电源。 用sc2618设计简易同步降压电源 图1为用同步式降压控制芯片sc2618与双场效应功率管 ao4812集成块设计组成的机顶盒和液晶电视及其它消费电子产品所需的板上开关直流电源线路图。 此电源的输入电压vin由交流变直流适配器提供,vin大多数为12v/5v(也有少数会用24v),输出电压是1.8v,输出电流是3.5安培。sc2618能接收4.5v至14v工作电压并有一个1.25v内部电压基准。0.5安培的场效应管驱动能使电源的输出电流达到10安培。sc2618不需要反馈补偿电路。 图1 用sc2618和ao4812设计的机顶盒和液晶电视等消费电子产品所需支流开关电源图 ...
s的开关升/降时间(ts=25nc/0.5a)。ts会在上端场效应管开关时产生的开关损耗(ps)如式(8)表示 ps=iovintsfosc (8) 在图1中,ps是0.3w。 由于在上端和下端场效应管之间无重叠传导,下端场效应管漏极和源极的寄生二极管或外部肖特基二极管总是在下端场效应管导通之前导通。下端场效应管导通电压仅为一个在漏极和源极之间二极管的电压。下端场效应管开关损耗为零。上端和下端场效应管在导通时的损耗可由式(9)及式(10)来计算。 以图1为例,选用的场效应管是ao4812。ao4812上下端导通内阻都是28mω,在3.5a负载时上下端导通损耗是0.35w。整个aos4812损耗为0.65w(ploss=0.3w+0.35w)。场效应管的结温可由式(11)来计算。 tj=ta+θjaploss(11) 从ao4812手册上可查到它最大的结温至室温的热阻是110℃/w(θja),在3.5a负载下aos4812损耗为0.65w,这时ao4812soic8封装结温在40℃的室温状态下是111.5℃。这数值远小于芯片150℃时的结温限制。 对于大电流输出上的应用(& ...