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AO6602_DELTA

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 6TSOP技术MOSFET(金属氧化物)
配置N 和 P 沟道互补型FET 功能-
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A(Ta),2.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 3.5A,10V,100 毫欧 @ 2.7A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA,2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5nC @ 10V,5.2nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)210pF @ 15V,240pF @ 15V
功率 - 最大值1.15W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-74,SOT-457
供应商器件封装6-TSOP

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