描述 | MOSFET N-CH 6TSOP | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Ta),2.7A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 3.5A,10V,100 毫欧 @ 2.7A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA,2.4V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 5nC @ 10V,5.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 210pF @ 15V,240pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.15W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |