| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO263 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 399 毫欧 @ 5.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 13.2nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 646pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 198W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263（D2Pak） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
