| 描述 | COMMON DRAIN N | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 24.5nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 4-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | 4-AlphaDFN（1.9x1.3） |
