| 描述 | MOSFET N/P-CH TO252-4 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 12A，10V，45 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 13nC @ 10V，21nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 545pF @ 20V，890pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta），27W（Tc），2W（Ta），30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商器件封装 | TO-252-4L |
