描述 | MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 8A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 813pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 6-DFN-EP(2x2) |
包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1396-6 |