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AON5810

  • 制造商:-
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(双)共漏
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.243
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 7.7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs13.1nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1360pF @ 10V
功率 - 最大1.6W安装类型表面贴装
封装/外壳6-WFDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-DFN-EP(2x5)
包装带卷 (TR)

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