| 描述 | MOSF 2N-CH 30V 10A/13.8A DFN5X6B | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A，13.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13.7 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 910pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.9W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
