| 描述 | MOS N CH 40V 50A DFN3.3X3.3EP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 40V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.9 毫欧 @ 20A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2365pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 6.2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1378-6 |
