| 描述 | ASYMMETRIC N | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Ta），50A（Tc），20A（Ta），50A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 40nC @ 10V，30nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1520pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
