| 描述 | COMPLEMENTARY | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道，共漏（互补） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta），14A（Tc），5.7A（Ta），21A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20mOhm @ 6.5A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250μA，2.2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 15V，1100pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W（Ta），7W（Tc），1.5W（Ta），20.8W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP（3x3） |
