| 描述 | GAN | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 6A，6V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6.9 nC @ 6 V | Vgs（最大值） | 6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 203 pF @ 400 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-DFN（8x8） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
