| 描述 | 30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.5A（Ta），49A（Tc），27A（Ta），85A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.3 毫欧 @ 20A，10V，2.6 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250μA，1.9V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 20nC @ 10V，40nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 820pF @ 15V，1890pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W（Ta），21W（Tc），3.1W（Ta），31.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerSMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（5x6） |
