| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1 欧姆 @ 500mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 225nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3660pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 280W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-268AA | 供应商设备封装 | D3 [S] |
| 包装 | 管件 |
