| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 2A, 10V | 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V (1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V | 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 694pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 139W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3, D?Pak (2 引线+接片), TO-268AA | 供应商设备封装 | D3 [S] |
| 包装 | 管件 |
