| 描述 | IGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP | IGBT 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 配置 | 单路 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A | 功率 - 最大值 | 390 W |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 3.4V @ 15V，50A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500 μA |
| 不同?Vce 时输入电容 (Cies) | 3.45 nF @ 25 V | 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227（ISOTOP?） |
apt40gf120jrd 三相控制整流器和变换器、矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管，每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电路用1khz ~ 200khz频率的全占空比脉冲驱动一个容性输入功率器件，如mosfet或igbt（绝缘栅双极晶体管）。一只变压器起隔直作用，电路在15v初级电源电压下只消耗少量功率。采用具有输入电容高达5 nf的几只mosfet和igbt，测试满意，该驱动器通过调整驱动器晶体管、耦合变压器以及一些无源元件，可以适应更大电流的功率晶体管。晶体管q1和q2通过耦合变压器t1向晶体管q3和q4传送约1ms持续时间的脉冲，分别为功率晶体管q5的栅源输入电容充、放电。q1产生的充电脉冲开始于驱动控制信号的上升沿，而q2产生的放电脉冲则开始于控制信号的下降沿。微分电路包括c1、r1、电位器p1的一部分、c2、r2以及p1的其余部分，它设定了充、放电脉冲的持续时间。必要时，调整p1的设置可以改变 q5栅极上正、负充放电电压的平衡。 晶体管q3和q4分别为q5的输入电容传输充、放电脉冲，然后关断，在q5输入电容两端产生一个高阻抗，使q5栅极电压不能发生变化，除了由于 ...
