| 描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | IGBT 类型 | NPT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 118 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 224 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.4V @ 15V，45A |
| 功率 - 最大值 | 543 W | 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 203 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 15ns/100ns | 测试条件 | 433V，45A，4.3 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 80 ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D3Pak |
