| 描述 | IGBT PT MOS 8 SINGLE 900 V 80 A | IGBT 类型 | PT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 900 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 145 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 239 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 3.1V @ 15V，47A |
| 功率 - 最大值 | 625 W | 开关能量 | 1.625mJ（开），1.389mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 200 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 18ns/149ns | 测试条件 | 600V，47A，4.7 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 供应商器件封装 | D3PAK |
