| 描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | IGBT 类型 | NPT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 135 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 380 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.4V @ 15V，95A |
| 功率 - 最大值 | 446 W | 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 420 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 29ns/226ns | 测试条件 | 433V，95A，4.3 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
