描述 | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路) | FET 功能 | 超级结 |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 83 毫欧 @ 24.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 3mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 250nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7200pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 250W | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SP1 |
供应商器件封装 | SP1 |