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  • APTC60AM83BC1G

APTC60AM83BC1G

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:CoolMOS?
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1技术MOSFET(金属氧化物)
配置3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)FET 功能超级结
漏源电压(Vdss)600V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)83 毫欧 @ 24.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)250nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7200pF @ 25V
功率 - 最大值250W工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装封装/外壳SP1
供应商器件封装SP1

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