描述 | MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | 6 N-沟道(3 相桥) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 116A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 21 毫欧 @ 88A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.6V @ 6mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 580nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13000pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 625W | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
供应商器件封装 | SP6-P |