| 描述 | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双路降压斩波器） | FET 功能 | 超级结 |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 26A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 270nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6800pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 250W | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SP1 |
| 供应商器件封装 | SP1 |
