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APTCV60HM45RT3G

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$77.36
  • 10$72.673
  • 100$65.6398
  • 250$62.35784
  • 500$60.38866
产品属性
描述POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3配置全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大)600VVge, Ic时的最大Vce(开)1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)50A电流 - 集电极截止(最大)250?A
Vce 时的输入电容 (Cies)3.15nF @ 25V功率 - 最大250W
输入单相桥式整流器NTC 热敏电阻
安装类型*封装/外壳*
供应商设备封装*

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