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APTGT100DA120D1G

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 12$69.4475
产品属性
描述IGBT 1200V 150A 520W D1配置单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200VVge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A电流 - 集电极截止(最大)3mA
Vce 时的输入电容 (Cies)7nF @ 25V功率 - 最大520W
输入标准型NTC 热敏电阻
安装类型底座安装封装/外壳D1
供应商设备封装D1

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