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APTGT35SK120D1G

制造商：-
标准包装：1
类别：半导体模块
家庭：IGBT
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止

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无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品属性

描述	IGBT 1200V 55A 205W D1	配置	单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	1200V	Vge, Ic时的最大Vce（开）	2.1V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）	55A	电流 - 集电极截止（最大）	5mA
Vce 时的输入电容 (Cies)	2.5nF @ 25V	功率 - 最大	205W
输入	标准型	NTC 热敏电阻	无
安装类型	底座安装	封装/外壳	D1
供应商设备封装	D1

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