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  • APTM100A13SG

APTM100A13SG

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(半桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$240.69
  • 10$228.243
  • 100$215.7932
  • 250$211.64336
  • 500$207.4935
产品属性
描述PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C156 毫欧 @ 32.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 6mA
闸电荷(Qg) @ Vgs562nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds15200pF @ 25V
功率 - 最大1250W安装类型底座安装
封装/外壳SP6供应商设备封装SP6
包装散装其它名称APTM100A13SGMIAPTM100A13SGMI-ND

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