| 描述 | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 4 N 沟道（半桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V（1kV） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 552 毫欧 @ 16A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 260nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6800pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 357W | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SP3 |
| 供应商器件封装 | SP3 |
