| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 65A J3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 65A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 145 毫欧 @ 32.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 10mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2000nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 31600pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1250W | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | J3 模块 | 供应商设备封装 | 模块 |
| 包装 | 散装 |
